KIA28N50HH場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0....KIA28N50HH場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進(jìn)的d...
使用兩個(gè)萬(wàn)用表，一個(gè)測(cè)量基極與發(fā)射極之間的電阻值，一個(gè)測(cè)量基極與集電極之間...使用兩個(gè)萬(wàn)用表，一個(gè)測(cè)量基極與發(fā)射極之間的電阻值，一個(gè)測(cè)量基極與集電極之間的電阻值，通過判斷電阻值的變化來確定管腳的正負(fù)極性以及集電極、基極、發(fā)射極的連...
許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識(shí)，標(biāo)明了各個(gè)電極的名稱； 在電路圖中，MO...許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識(shí)，標(biāo)明了各個(gè)電極的名稱； 在電路圖中，MOS管的電極通常會(huì)用特定的符號(hào)表示，G極通常用一個(gè)圓圈表示，S極用一個(gè)小圓圈表示，D...
KIA6035AD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)...KIA6035AD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，最大限度地減少導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩...
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具...場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、快速開關(guān)速度和大電壓/電流能力等特點(diǎn)。
低通濾波電路可使低頻信號(hào)較少損失地傳輸?shù)捷敵龆耍垢哳l信號(hào)得到有效抑制。低...低通濾波電路可使低頻信號(hào)較少損失地傳輸?shù)捷敵龆耍垢哳l信號(hào)得到有效抑制。低通濾波(Low-pass filter) 是一種過濾方式，規(guī)則為低頻信號(hào)能正常通過，而超過設(shè)定臨...
