FQA24N50替代KNX7650A MOS管?，KIA半導體主營半導體產品豐富，是一家國產MOS管...FQA24N50替代KNX7650A MOS管?，KIA半導體主營半導體產品豐富，是一家國產MOS管廠家。專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結場效應管、碳化硅二極管、碳化硅...
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進技術是...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進技術是特別定制，以最小化通態電阻，并提供優越的開關。其性能好，能承受雪崩和換向模式下...
中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導...中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個...
SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力...SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物...
KIA20N50H 500V20A規格書 參數? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專...KIA20N50H 500V20A規格書 參數? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設計的電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源等。有源功率因數校...
下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一：一反激電源實測Ids電流時前端有...下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一：一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰(如下圖紅色圓圈里的尖峰圖),這個尖峰到底是什么原因引起的?怎么來消除或者...
