KNF4365A-特征 RDS(on) typ. =2Ω@VGS = 10 V ，ID=2A 快速切換 100%雪崩試...KNF4365A-特征 RDS(on) typ. =2Ω@VGS = 10 V ，ID=2A 快速切換 100%雪崩試驗 改進dv/dt 能力
1. Vcc電壓 由G腳流向S腳 打開閥門 2. HD電壓 由D腳流向S腳 到地形成環路1. Vcc電壓 由G腳流向S腳 打開閥門 2. HD電壓 由D腳流向S腳 到地形成環路
大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述 KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用...大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述 KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開關，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子鎮...
600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述 KIA10N6OHN溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電...600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述 KIA10N6OHN溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開關如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋到全橋的電子燈鎮流器...
所謂的 H 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路，它由 2 ...所謂的 H 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路，它由 2 個 P型場效應管 Q1、Q2 與 2 個 N 型場效應管 Q3、Q3 組成，所以它叫 P-NMOS 管 H 橋...
MOS管原廠KNX4760A 600V8A-產品特征 專業平面新技術 RDS(ON),typ.=0.85Ω@VG...MOS管原廠KNX4760A 600V8A-產品特征 專業平面新技術 RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V 低柵極電荷使開關損耗最小化 快恢復體二極管
