MOS變?nèi)莨芨攀觯篗OS變?nèi)莨苁前袽OSFET標(biāo)準(zhǔn)管或稍加改進(jìn)后的MOS管的源極、漏極以...MOS變?nèi)莨芨攀觯篗OS變?nèi)莨苁前袽OSFET標(biāo)準(zhǔn)管或稍加改進(jìn)后的MOS管的源極、漏極以及襯底連接起來，使它變成一個(gè)兩端器件;所利用的電容是柵極和源極之間的電容。電容的...
MOS變?nèi)莨芙馕觯弘S著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視...MOS變?nèi)莨芙馕觯弘S著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VC...
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損...MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳...
MOS管速度飽和:一般而言，載流子速度正比于電場，斜率是載流子的遷移率；可當(dāng)延...MOS管速度飽和:一般而言，載流子速度正比于電場，斜率是載流子的遷移率；可當(dāng)延溝道電場達(dá)到臨界值（某個(gè)根據(jù)散射效應(yīng)計(jì)算的值）時(shí)，載流子的速度將會(huì)趨于飽和，稱...
MOS管-熱插拔：當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)...MOS管-熱插拔：當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，此...
功率MOS管Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電...功率MOS管Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOS管開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Cos...
