自旋場效應管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導體場效應晶體管，這是...自旋場效應管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導體場效應晶體管，這是一種半導體自旋電子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。
場效應管圖標：場效應管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應管有4...場效應管圖標：場效應管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應管有4個電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。場效應管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對...
隧穿場效應管介紹：在傳統MOSFET中，載流子從源極越過pn結勢壘熱注入到溝道中。...隧穿場效應管介紹：在傳統MOSFET中，載流子從源極越過pn結勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶...
逆變器燒場效應管原因：逆變器的場效應管工作于開關狀態，并且流過場效應管的電...逆變器燒場效應管原因：逆變器的場效應管工作于開關狀態，并且流過場效應管的電流很大，若場效應管選型不合適、驅動電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導致場效...
浮柵場效應管解析：閃存（Flash）技術利用的場效應管就是浮柵場效應管。FLASH技...浮柵場效應管解析：閃存（Flash）技術利用的場效應管就是浮柵場效應管。FLASH技術是采用特殊的浮柵場效應管作為存儲單元。這種場效應管的結構與普通場管有很大區別...
120VMOS管，3112參數-產品特性：采用CRM(CQ)先進的溝槽技術，極低通阻RDS(on)，...120VMOS管，3112參數-產品特性：采用CRM(CQ)先進的溝槽技術，極低通阻RDS(on)，符合JEDEC標準，RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V
