region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對(duì)應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線(xiàn)性區(qū)；2：...region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對(duì)應(yīng)：0： 關(guān)斷；1： 線(xiàn)性區(qū)；2： 飽和區(qū)；3： 亞閾值區(qū)；4： 擊穿
MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。 THERMAL RESISTA...
KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國(guó)內(nèi)專(zhuān)注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠(chǎng)家生產(chǎn)。...KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國(guó)內(nèi)專(zhuān)注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠(chǎng)家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。改進(jìn)的...
我們知道采用PNP管子作為開(kāi)關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的...我們知道采用PNP管子作為開(kāi)關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片...
3401場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RD...3401場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流為-4A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(on)，低柵極電荷工作電壓低至2.5V。3401場(chǎng)效應(yīng)管-30V -4A適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM...
MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
