溝道型MOSFET已成為當(dāng)前大部分車載應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用。傳統(tǒng)的平面型MOSFET建立在硅...溝道型MOSFET已成為當(dāng)前大部分車載應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用。傳統(tǒng)的平面型MOSFET建立在硅晶圓表面之上，而溝道型MOSFET是在硅片上蝕刻垂直溝道，從而讓功率開關(guān)得以擁有更高...
MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率...MOSFET具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的變速箱控...
變頻器也稱為變頻驅(qū)動(dòng)器或驅(qū)動(dòng)控制器，是可調(diào)速驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動(dòng)...變頻器也稱為變頻驅(qū)動(dòng)器或驅(qū)動(dòng)控制器，是可調(diào)速驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)改變交流電動(dòng)機(jī)工作電壓的頻率和幅度，來(lái)平滑控制交流電動(dòng)機(jī)速度及轉(zhuǎn)矩。
根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失...根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等...
雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過(guò)電子形成電流溝...雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通過(guò)電子形成電流溝道；P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。
?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)...?KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，低柵電荷...
