輸出電流控制技術隨半導體開關的進步而發展。對大多數負載管理電路來說，MOSFE...輸出電流控制技術隨半導體開關的進步而發展。對大多數負載管理電路來說，MOSFET晶體管正在迅速取代繼電器成為所選擇的開關技術。
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅動電壓的電源管理應用進行了優化。額定值（4.5 V–20 V）。
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS）...LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個...
在電路設計時我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。...在電路設計時我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。這兩個概念到底是什么呢？下文給你帶來詳細介紹。 開漏（opendrain）介紹 開漏電...
開關損耗，指的是在芯片內部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關閉的器件...開關損耗，指的是在芯片內部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關閉的器件產生的功耗。如圖一的顯示兩種開關電源控制芯片內部架構，以BUCK的方式為例。
