圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的...圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過，3v穩(wěn)壓I...
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向...MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
KIA4610A是高密度N溝道MOS管，具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性，為大多數(shù)同步降壓變...KIA4610A是高密度N溝道MOS管，具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性，為大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用充電。KIA4610A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數(shù)同步buck變...KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數(shù)同步buck變換器應(yīng)用的門極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）...低功耗按照類型分類，其構(gòu)成主要有動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1）動態(tài)功耗 動態(tài)功耗包括：開關(guān)功耗或者稱為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗。
下圖是NMOS做電平轉(zhuǎn)換的典型電路，要點(diǎn)是信號從低往高轉(zhuǎn)低，從S極到D極。 邏輯...下圖是NMOS做電平轉(zhuǎn)換的典型電路，要點(diǎn)是信號從低往高轉(zhuǎn)低，從S極到D極。 邏輯如下： A=1.8V，NMOS截止，B=3.3V； A=0V，NMOS導(dǎo)通，B=0V；
