功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損...功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損失也更大。寄生導(dǎo)通通常會(huì)損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導(dǎo)通機(jī)制取決...
在此，R1和C1對(duì)晶體管Q4構(gòu)成一個(gè)適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對(duì)Q4的基...在此，R1和C1對(duì)晶體管Q4構(gòu)成一個(gè)適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對(duì)Q4的基極發(fā)射極結(jié)產(chǎn)生反向偏置，并使電流通過(guò)R11流向Q4的基極。流經(jīng)Q4的電流驅(qū)動(dòng)Q3和Q2，...
與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些...與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些電容并不是一件直截了當(dāng)?shù)墓ぷ鳎诖诉^(guò)程中需要它們中的某些被短路或開路（left flo...
圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)...圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。其中一路直接接到下管，另外一路經(jīng)反向器反向后驅(qū)動(dòng)上管。RP1，RP2用于調(diào)節(jié)死區(qū)...
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時(shí)您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提...P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。
