反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會損壞 MO...反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計來控制振鈴非常重要。
數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測試的...數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測試的。MOSFET反并聯(lián)二極管相當于一個溫度傳感器，一定的溫度對應(yīng)著一定的二極管的壓降。...
靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱為靜電）導(dǎo)...靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱為靜電）導(dǎo)致兩個關(guān)鍵問題：靜電過應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）。靜電可以定義為累積在材料表...
靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數(shù)的電子元件或電子系統(tǒng)受到...靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數(shù)的電子元件或電子系統(tǒng)受到過度電性應(yīng)力(Electrical Overstress EOS)破壞的主要因素。這種破壞會導(dǎo)致半導(dǎo)體元...
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常...MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電...
MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、...MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。
