120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述： KNX2912A，采用先進的溝槽技術(shù)，提供...120V130A低內(nèi)阻MOS管 KNX2912A產(chǎn)品描述： KNX2912A，采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS(導通)、低柵極電荷。可用于多種應用。
80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無鉛...80A60V低壓MOS管 KNX3306A?產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關(guān)，減少導電損耗 4、高雪崩電流
低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch ...低壓小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足...
電力MOS場效應管-分為結(jié)型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Ox...電力MOS場效應管-分為結(jié)型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET） 結(jié)型電力場效應晶體管一...
門電路：用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circu...門電路：用以實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路稱為門電路(Gate Circuit)或邏輯門(Logic Gate)。門電路是數(shù)字集成電路中最基本的邏輯單元。 當門電路的輸...
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征： 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良...NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A資料 特征： 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù) 優(yōu)良的散熱封裝 低RDS(ON)的高密度電池設計
