電源芯片工作溫度的計算、參數含義-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-11
TJ：芯片結溫（Die junction temperature, °C）
TC：芯片封裝表面溫度（Package case temperature, °C）
TB：放置芯片的PCB板溫度（Board temperature adjacent to package, °C）
TT：芯片封裝頂面中心溫度（Top of package temperature at center, °C）
TA：芯片周圍空氣溫度（Ambient air temperature, °C）
qJA：硅核到周圍空氣的熱阻系數（Thermal resistance junction-to-ambient, °C/W）
qJC：硅核到封裝表面的熱阻系數（Thermal resistance junction-to-case, °C/W）
qJB：硅核到PCB板的熱阻系數（Thermal resistance junction-to-board, °C/W）
YJB：硅核到PCB板的特征參數（Junction-to-board characterization parameter，°C/W）
YJT：硅核到封裝頂部的特征參數（Junction-to-top (of package) characterization parameter, °C/W）
P：設備功耗（Power dissipated by device, Watts）
下圖是熱阻計算公式的總結，通過下面的公式，可以通過手冊中的可獲取的參數，計算得到芯片工作的實際結溫。
圖1 熱阻計算公式總結
1.TA測量及TJ計算器
圖2 TA溫度測試點
熱阻計算公式：qJA =（TJ- TA）/P
公式變換：TJ = TA + qJA*P
2.TC測量及TJ計算器
一般TC溫度測試點有三種情況：
熱阻計算公式：qJC=（TJ- TC）/P
公式變換：TJ = TC + qJC*P
3.TB測量及TJ計算器
有絕緣層測試
圖6 TB PCB板測試點（有絕緣層）
熱阻計算公式：qJB=（TJ- TB）/P
公式變換：TJ = TB + qJB*P
無絕緣層測試
Eg：
比如一個芯片熱阻：qJA=55°C/W，測試得到工作環境溫度：TA = +35°C，工作功耗：P=0.6W
則可以計算結溫：TJ = 35°C + (55°C/W * 0.6W) = 68°C
注：一般要求TA不要超過手冊要求，結溫也要低于手冊要求并要留有余量（10~15°C為宜）
下面看一下實際數據手冊的數據，要保證芯片安全溫度的工作，環境溫度TA應該滿足在-10~70°C范圍內，并且最后計算出來的結溫應該低于120°C（留有15°C余量）。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
