驅動IC控制的MOS管開關電路實例分析-KI MOS管
信息來源：本站 日期：2022-12-20
在設計MOS管驅動電路時，要滿足的首要條件就是Vgs電壓大于Vth開啟電壓，一般來說Source極是接地的，所以我們一般關注的是Gate電壓，但是在一些特殊的應用場合中，比如H橋驅動電機時，這個時候MOS管的S極可能并不直接接地，那么我們應該如何控制MOS管的開關呢？這時候就需要用到專門的MOS驅動IC了。
專門的驅動IC為了實現快速開關MOS，一般內部會集成自舉電路，從而可以提供高于電源電壓的驅動電壓來快速開關MOS,以DGD0506為例，雖然該IC的供電電源電壓是15V，但是它卻能提供高達50V的驅動電壓輸出。
VB和VS引腳之間的電容就是自舉電容，是完成升壓的核心器件。從下面的電路我們可以看出來，驅動IC的Vs引腳直接接到了MOS的Source極，這樣就解決了沒有GND作為Source極電壓參考的問題。
另外，如果我們用分立器件搭建半橋驅動電路來驅動電機時，一旦軟件出現BUG，兩個MOS同時導通，相當于VCC和GND直連了，那么兩個MOS上會出現很大的短路電流，可能會燒毀MOS，集成MOS內部有死區時間控制，能夠從硬件上避免兩個MOS同時導通的情況出現；
簡單來說就是我們在開啟一個MOS時，會硬件延時，而這段硬件延時時間能充分保證另一個MOS已經關閉了，我們可以通過調整DT引腳上連接的電阻來調整死區保護時間。
總結來說，使用IC驅動MOS減少了外圍分立器件，并且能大大擴展驅動電壓以及應用場景，當然，這也會導致成本的上升，所以還是要基于需求來搭建驅動電路，如果你得MOS管開關電路沒有開關時間的要求，并且也不是驅動H橋這種電路，只是用于簡單的負載開關，這個時候考慮一下電流，MOS管的溫升，如果都比較合理的話，那用MCU直驅也是可以的。
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