（DCDC）電源IC損耗計算方法簡析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-01-30
本文將在“簡單”的前提下，介紹一種利用現有數據求出電源IC損耗的方法。
在很多情況下，電源IC的技術規格書中給出的是在標準的應用電路中測試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規格書中的效率曲線的條件相同或近似，則在自己設計的電路中也可能得到基本相同的效率曲線。利用這個效率曲線，可以簡單計算損耗。以內置MOSFET的同步整流降壓轉換器為例進行計算。
首先，請看根據效率計算損耗的公式，這同時也是為了整理效率和損耗的關系。
輸入功率 [W]＝輸出功率[W]＋損耗[W]
效率（×100，以“%”表示）＝輸出功率[W]÷輸入功率[W]
損耗 [W]＝輸出功率[W]×（1－效率）÷效率
接下來，根據下面的條件，使用效率曲線進行計算。
使用條件：Vin＝24V，Vout＝5V，Iout＝1.5A
從曲線圖中可以看出效率為：84% （藍色圓圈）
損耗 [W]＝輸出功率[W]×（1－效率）÷效率
＝（5V×1.5A）×（1－0.84）÷0.84＝1.43W
這里計算出的損耗是電路的損耗（效率也一樣），需要減去外置輸出電感的DCR帶來的傳導損耗（PCOIL）。
輸出電感DCR相關的損耗，即下圖中淺藍色的“PCOIL”所示的部分。
電感的DCR帶來的傳導損耗
電感的DCR（即直流電阻）是線圈的電阻。所以，只是因流過電感的電流和DCR而產生損耗。損耗發生的位置也只是電感本身。所流過的電流基本上是輸出電流Io。Io可根據電感電流IL求得。
如上所述，可以根據效率曲線大致算出損耗。前面提到要減去外置電感的損耗，但更準確一點講，估算值中包含其他外置部件和PCB的薄膜布線等的損耗。然而，由于電源IC本身的損耗比這個值小（通常只是很小的值），因此用于估算值的量并沒有什么問題。
功率晶體管為外置的情況下，可以用相同的思路估算，但一般需要另行求出功率晶體管的損耗，因此所花的時間也可能與單獨計算差不多。
最后，計算值的小數原則上要向上舍入，而非向下舍入。至于使用到小數點后幾位數，可根據整體的功率來判斷有效（有影響）的位數。這是為了將誤差控制在安全范圍，需要注意的是損耗和發熱等負面因素。當然，在進行可否判斷時需要考慮到余量而非界限值。
關鍵要點:
電源IC的技術規格書中如果提供了效率曲線，可根據效率簡單計算損耗。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
