混合集成電路詳解,混合集成電路分類,特點(diǎn)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-04-23
混合集成電路是將半導(dǎo)體集成工藝與薄/厚膜工藝結(jié)合而制成的集成電路。是半導(dǎo)體集成電路外圍元件的再集成，或稱為二次集成。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線，并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。相對(duì)于單片集成電路，它設(shè)計(jì)靈活，工藝方便，便于多品種小批量生產(chǎn)；并且元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好，可以承受較高電壓和較大功率。
混合集成電路是將不同類型的電子元器件集成到一個(gè)芯片上，從而實(shí)現(xiàn)更高性能、更小尺寸和更低功耗的電路。混合集成電路通常由硅芯片和其他材料（如陶瓷或塑料）的基板組成，其中晶體管等半導(dǎo)體器件被整合到芯片的表面。
混合集成電路是將一個(gè)電路中所有元件的功能部分集中在一個(gè)基片上，能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點(diǎn)，因而能提高電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這個(gè)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，混合集成電路可當(dāng)作分布參數(shù)網(wǎng)絡(luò)，具有分立元件網(wǎng)路難以達(dá)到的電性能。
混合集成電路的另一個(gè)特點(diǎn)，是改變導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無(wú)源網(wǎng)路。
按照功能分類：可分為混合集成放大器類、集成頻率源、濾波器、轉(zhuǎn)換器、功率、濾波器類等。
按照表面厚膜薄膜導(dǎo)帶工藝分類：分為厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路兩類。
制造混合集成電路常用的成膜技術(shù)有兩種：網(wǎng)印燒結(jié)和真空制膜。用前一種技術(shù)制造的膜稱為厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一種技術(shù)制造的膜稱為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無(wú)源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路，即稱為厚膜混合集成電路；若是薄膜網(wǎng)路，則稱為薄膜混合集成電路。
某些小型的控制電路板(PCB)電路，由于印制電路是以膜的形式在平整板表面形成導(dǎo)電圖形，亦歸類為混合集成電路。隨著MCM組件這一先進(jìn)混合集 成電路的出現(xiàn)，基板特有的多層布線結(jié)構(gòu)和通孔L工藝技術(shù)，已使MCM組件成為混合集成電路中一種高密度互連結(jié)構(gòu)的代名詞，MCM所采用的基板又包括薄膜多層、厚膜多層、高溫共燒、低溫共燒、硅基、PCB多層基板等。因此從混合集成電路布線的工藝技術(shù)特點(diǎn)分類，混合集成電路可分厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路和多芯片組件。
混合集成電路和半導(dǎo)體集成電路區(qū)別
與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體集成電路相比，混合集成電路在設(shè)計(jì)和制造上更加復(fù)雜，并且可以容納更多種類的器件。半導(dǎo)體集成電路通常只能包含相同類型的器件，而混合集成電路則可以支持包括光學(xué)元件、電感元件和微波元件等各種器件類型。
混合集成電路的應(yīng)用以模擬電路、微波電路為主，也用于電壓較高、電流較大的專用電路中。例如電臺(tái)、電子計(jì)算機(jī)、測(cè)試測(cè)量、航空、微波無(wú)線電等。
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