?mos管的功率,mos管功率損耗,mos管功率計算-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-09
MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。這個參數表示MOS管能夠承受的最大容許損失，它可以通過產品的熱阻來計算得出。
計算公式為：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允許的最大溫度，Tc是MOS管的結點溫度，Rth(ch-c)是熱阻。在實際應用中，MOS管的功耗應該遠小于其最大耗散功率，以避免過熱和損壞。
MOS管自身的功率可以通過公式P = VDS * ID來計算，其中VDS是漏源電壓，ID是漏極電流，而VDS也可以通過ID和MOS管的導通電阻Rds來計算得出。
MOS管的損耗主要包括導通損耗（Pdrain）和開關損耗（Pswitch）兩種。
導通損耗計算
導通損耗主要由MOS管導通電阻引起，計算公式為：
Pdrain = 功耗（W）=I^2 * Rds(on) * t
I：流過MOS管的電流；
Rds(on)：MOS管的導通電阻；
t：MOS管在導通狀態下的持續時間；
開關損耗計算
開關損耗包括開通損耗（Pon）和關斷損耗（Poff）。
開通損耗：MOS管從關斷狀態切換到導通狀態過程中產生的損耗；
關斷損耗：MOS管從導通狀態切換到關斷狀態過程中產生的損耗。
開通損耗計算
開通損耗計算公式：
Pon = C * V^2 * f / 2
C：MOS管的輸出電容；
V：MOS管兩端的電壓降；
f是MOS管的工作頻率。
關斷損耗計算
關斷損耗計算公式：
Poff = C * V^2 * f / 2
開關損耗等于開通損耗+關斷損耗，即Pswitch = Pon + Poff=C * V^2 * f
總損耗計算
MOS管的總損耗是導通損耗+開關損耗，
即Ptotal = Pdrain + Pswitch=C * V^2 * f+I^2 * Rds(on) * t
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
