varactor電容,變?nèi)荻O管正負(fù)極判斷,原理作用-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-07-24
Varactor電容，也稱(chēng)為變?nèi)荻O管，其電容值可以根據(jù)外加電壓的變化而改變。變?nèi)荻O管又稱(chēng)“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其最大值為幾十皮法到幾百皮法，最大區(qū)容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等。
變?nèi)荻O管原理作用
變?nèi)荻O管的電路圖形符號(hào)
從本質(zhì)上講，它屬于反偏壓的二極管，其結(jié)電容就是耗盡層的電容。可近似反耗盡層視為平行板電容器，兩個(gè)導(dǎo)電板之間有介質(zhì)。因此，結(jié)電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反比，有公式C1∝1/d，又因?yàn)閐與反向偏壓VR的n次方成正比（n是與摻雜濃度有關(guān)的常數(shù)），故C1∝1/VRn，因此，反向偏壓愈高，耗盡區(qū)就愈寬，而結(jié)電容量愈小。反之亦然。（a）圖中，VR1＞VR2，故d2＞d1，Cj2＜Cj1。
變?nèi)荻O管的簡(jiǎn)化等效電路及電路符號(hào)分別如圖（b）、（c）所示。圖中用一只可變電容來(lái)表示結(jié)電容。R2是半導(dǎo)體材料的電阻。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線(xiàn)性的。
變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無(wú)引線(xiàn)表面封裝等多種封裝形式、如圖所示。通常，中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。
作用特點(diǎn)
1、變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線(xiàn)性的，如圖所示。
變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解：
（a） 反向偏壓增加，造成電容減少；
（b） 反向偏壓減少，造成電容增加。
電容誤差范圍是一個(gè)規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示最小值、標(biāo)稱(chēng)值及最大值，這些經(jīng)常繪在圖上。
在外觀(guān)上，變?nèi)荻O管通常有明顯的標(biāo)記或區(qū)分，例如紅色圓形表示陽(yáng)極（正極），黑色部分則表示陰極（負(fù)極）。如果未能明確標(biāo)記，可以根據(jù)型號(hào)規(guī)格手冊(cè)查看其引腳功能。
選擇500型萬(wàn)用表的R×1k檔。首先將紅表筆接一端，黑表筆接另一端，若測(cè)得電阻值為6.5kΩ，與此同時(shí)記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n′≈19.7格。然后交換管腳位置后重新測(cè)量，電阻值變成無(wú)窮大。由此判定第一次為正向接法，正向電阻為6.5kΩ，正向?qū)妷篤F=0.03V/格×9.7格=0.59V。第二次則屬于反向接法。該管子具有單向?qū)щ娦裕⑶铱拷t色環(huán)的管腳為正極。欲測(cè)量變?nèi)荻O管的結(jié)電容，可選用100pF量程的線(xiàn)性電容表。
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