Ciss和Coss和Crss,電容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-03
在MOSFET中，柵極由一層薄的氧化硅實現絕緣。因此，功率MOSFET在柵極-漏極、柵極-源極和漏極-源極之間具有電容，具體如圖所示。Ciss為輸入電容，Crss為反饋電容，Coss為輸出電容。電容會影響MOSFET的開關性能。
輸入電容Ciss = Cgs + Cgd；
輸出電容Coss = Cds + Cgd；
反向傳輸電容Crss = Cgd
這三個電容幾乎不受溫度變化的影響，因此，驅動電壓、開關頻率會比較明顯地影響MOS管的開關特性，而溫度的影響卻比較小。
電容特性 (Ciss , Coss , Crss )
由于功率 mos 管的結構，會產生寄生電容（CGS、CGD、CDS）。這些寄生電容會影響開關特性。
輸入電容，Ciss
輸入電容 Ciss 影響延遲時間。當 Ciss 大時，延遲時間長，因為在功率 mos 管導通/關斷時必須對大量電荷進行充電/放電。Ciss 越大，功率損耗越大。因此，Ciss 小的功率 mos 管是理想的。
C iss通過下式計算。
C iss = C GS+ C GD
輸出電容，Coss
輸出電容 Coss影響關斷特性。
當 Coss 較大時，漏源電壓 VDS 的電壓變化率 dv/dt 在功率 mos 管關斷時降低，從而降低了噪聲的影響，但增加了導通關閉下降時間t f。
Coss通過下式計算。
C oss = C DS + C GD
反向傳輸電容，Crss
反向傳輸電容，Crss 也稱為鏡像電容。
Crss 影響高頻特性。Crss 越大，越出現以下特征:
導通時漏源電壓 VDS 的下降時間較長（導通上升時間 t r較長）
關斷時漏源電壓 VDS 的上升時間較長（關斷下降時間 t f較長）
功率損耗大
反向傳輸電容 Crss 通過以下公式計算。
C rss = C GD
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