dfn,MOS管DFN8封裝圖,封裝尺寸-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-27
MOS芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOS器件與其它元件構成完整的電路，對于整個供電系統而言起著不可或缺的穩壓作用。
DFN封裝是一種無引腳的封裝形式，采用雙邊或方形扁平無鉛封裝，僅兩側有焊盤。DFN8表示焊盤數是8個，典型主體尺寸長度通常介于2-7mm，焊盤間距通常為0.5-0.95mm，特點是靈活性高，常用于集成電路芯片的封裝。
DFN體積上較SOT-23大，但小于TO-252，一般在低壓和30A以下中壓MOS管中有采用，得益于產品體積小，主要應用于DC小功率電流環境中。
DFN-8封裝具有較小的封裝尺寸。由于它是無引線封裝，因此可以在相同封裝面積下容納更多的引腳，從而實現更高的集成度。這對于電子產品的微型化設計非常有利，可以節省空間，提高產品性能。
具有良好的散熱性能。由于封裝底部直接與PCB板焊接，因此可以更好地將熱量傳導到PCB板上，提高散熱效率。這對于集成電路芯片來說非常重要，可以有效降低芯片溫度，提高其穩定性和可靠性。
具有良好的電氣性能。由于封裝底部直接與PCB板焊接，可以減少引腳長度，降低電阻和電感，從而減小信號傳輸的延遲和損耗，提高信號傳輸的穩定性和可靠性。
DFN-8封裝是一種具有較小封裝尺寸、良好散熱性能、良好電氣性能和良好焊接性能的封裝技術。
DFN8封裝尺寸
DFN8封裝并無統一尺寸，其長寬常見范圍為2mm至8mm，具體尺寸取決于制造商和產品型號。
主要特點：
長寬范圍：通常在2mm至8mm之間，例如常見的3mm×3mm、2mm×2mm或8mmx8mm。
高度：普遍較薄，多數型號高度在1mm左右，有利于緊湊設計。
具體示例
3mmx3mm：典型代表如Analog Devices的8引腳DFN封裝，詳細尺寸包含焊盤間距0.5mm等參數。
2mm×2mm：WCH的CH系列IC采用此類緊湊設計，適用于空間受限場景。
8mmx8mm：某些大功率器件采用更大尺寸以優化散熱，如國產SIC二極管的DFN8*8裝。
其他參數
焊盤間距：通常為0.5mm至0.95mm，確保高密度電路布局的可行性。
散熱性能：底部外露焊盤設計提升熱傳導效率，常見于需散熱優化的器件。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
