wlp封裝,wlp封裝工藝流程,晶圓級(jí)封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-25
晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。
WLP基本工藝是在晶圓完成IC加工后，通過特定工藝直接在晶圓上構(gòu)建IC互連接口，完成測(cè)試、老化等流程后再進(jìn)行分割，直接產(chǎn)出IC成品。
在晶圓上進(jìn)行封裝過程的好處：
1、由于側(cè)面未涂覆封裝材料，因此封裝后的芯片尺寸較小。晶圓上，晶粒的密度更高，平均成本更低。
2、方便批量生產(chǎn)制造芯片，縮短工期，總體成本也比較低。
3、芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)可以統(tǒng)一考慮，提升設(shè)計(jì)效率，降低設(shè)計(jì)成本。
晶圓級(jí)封裝，可以分為：扇入型晶圓級(jí)封裝（Fan-In WLP）和扇出型晶圓級(jí)封裝（Fan-Out WLP）。這里的“扇（Fan）”，指的是芯片的尺寸。
1.Fab-out Wafer
晶圓準(zhǔn)備，這是整個(gè)封裝過程的起始步驟。首先要有一個(gè)經(jīng)過制造過程完成的晶圓，上面已經(jīng)形成了電路結(jié)構(gòu)。在晶圓的表面的鈍化層（Passivation Layer），用于保護(hù)晶圓表面的電路不受外界濕氣，化學(xué)物質(zhì)的影響。
2.Thin Film Deposition & Thick Photoresist (TPR) Coating
薄膜沉積：在鈍化層上沉積一層金屬薄膜，通常是Ti，Cu，Cr，Au等，作為電鍍的金屬種子層。
厚光刻膠涂覆：在金屬薄膜上涂覆一層厚光刻膠并曝光顯影，該步將特定區(qū)域打開，有些部位則被光刻膠蓋住。
3.Cu Electroplating
銅電鍍：通過電鍍工藝在已經(jīng)圖形化的光刻膠上電鍍銅層。這一步是形成較厚的RDL，將PAD上的信號(hào)引出。
4.TPR Strip & Thin Film Etching
光刻膠去除：移除覆蓋在不需要電鍍的地方的光刻膠，暴露出下面的金屬層。
薄膜蝕刻：蝕刻掉未被光刻膠保護(hù)的金屬薄膜部分，一般用濕法刻蝕的方法。
5.Dielectric Coating
介電層涂覆：在已經(jīng)形成的金屬結(jié)構(gòu)上涂覆一層介電材料如氧化硅或PI等，以隔離金屬層并保護(hù)它們不受外界環(huán)境的影響。
6.Ball Mounting
錫球安裝：在介電層上的打開位置安裝焊球。錫球用于實(shí)現(xiàn)芯片到電路板的電氣連接。
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