017N10mos,259a100v場效應管,toll封裝,KCT017N10N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-08
KCT017N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，適用于電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）等，性能優越；封裝形式：TOLL，體積小、低寄生電感、高熱性能，廣泛應用于高功率密度場景。
詳細參數：
漏源電壓：100V
漏極電流：259A
導通電阻：2mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1036A
單脈沖雪崩能量：1365MJ
功率耗散：250W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：176nC
輸入電容：10120PF
輸出電容：1360PF
反向傳輸電容：50PF
開通延遲時間：85nS
關斷延遲時間：92nS
上升時間：137ns
下降時間：98ns
聯系方式：鄒先生
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