用晶體管構(gòu)成電壓源和電流源電流。電壓源就是共集電路，而電流源就是共基電路，...用晶體管構(gòu)成電壓源和電流源電流。電壓源就是共集電路，而電流源就是共基電路，此兩電路在實(shí)際工程中運(yùn)用極廣。另外，請(qǐng)注意到共集電極電路的輸入端在基極而輸出端...
加法器用于執(zhí)行加法運(yùn)算，減法器用于執(zhí)行減法運(yùn)算。加法器包括半加器和全加器，...加法器用于執(zhí)行加法運(yùn)算，減法器用于執(zhí)行減法運(yùn)算。加法器包括半加器和全加器，其中半加器用于相加兩個(gè)單獨(dú)的二進(jìn)制位，全加器用于相加兩個(gè)二進(jìn)制位和一個(gè)進(jìn)位輸入...
實(shí)際上，為了實(shí)現(xiàn)理想的基極電流波形，可以方便地采用下圖所示的基極輸入回路（...實(shí)際上，為了實(shí)現(xiàn)理想的基極電流波形，可以方便地采用下圖所示的基極輸入回路（微分電路），圖中與基極電阻RB并聯(lián)的CB就稱為增速電容器。在基極輸入回路中增加一個(gè)...
??溝道調(diào)制效應(yīng)是指?MOS晶體管中，當(dāng)柵下溝道預(yù)夾斷后，若繼續(xù)增大漏源電壓...??溝道調(diào)制效應(yīng)是指?MOS晶體管中，當(dāng)柵下溝道預(yù)夾斷后，若繼續(xù)增大漏源電壓（Vds），夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng)，導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小，有效...
靜電保護(hù)器件（ESD） 是由一個(gè)或多個(gè) TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟?..靜電保護(hù)器件（ESD） 是由一個(gè)或多個(gè) TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。ESD反向并聯(lián)于電路中，當(dāng)電路正常工作時(shí)，ESD處于截...
硬件原理圖的英文縮寫-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能夠工作。要用...硬件原理圖的英文縮寫-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能夠工作。要用的時(shí)候，就打開EN腳，不用的時(shí)候就關(guān)閉。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看規(guī)格...
