mos管的三個工作狀態： 截止狀態：當VGS（柵源電壓）小于VGS(TH)（閾值電壓）...mos管的三個工作狀態： 截止狀態：當VGS（柵源電壓）小于VGS(TH)（閾值電壓）時，MOS管處于截止狀態。此時，漏極電流ID很小，相當于管子不導通。
KIA3204A場效應管采用超高密度電池設計，漏源擊穿電壓40V，漏極電流100A，超低...KIA3204A場效應管采用超高密度電池設計，漏源擊穿電壓40V，漏極電流100A，超低導通電阻，RDS（開啟）=3.8 mΩ@VGS=10V，減小損耗；100%雪崩測試、無鉛和綠色器件可...
以此作為單結晶體管電源，其目的是使單結晶體管振蕩器在每個梯形波結束時刻，由...以此作為單結晶體管電源，其目的是使單結晶體管振蕩器在每個梯形波結束時刻，由于電源電壓為零，使電容上電壓亦為零，在下一個梯形波開始時刻，電容c均是從零壓開...
單結晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端...單結晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶...
上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為高電平...上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為高電平，相反的，下拉電阻是為了保證GPIO（高電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為低電平...
MOS管是單載流子（“多數載流子”）參與導電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET...MOS管是單載流子（“多數載流子”）參與導電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET中，當施加適當的電壓時，多數載流子（電子或空穴，取決于半導體類型）在半導體表面...
