電壓比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，是將兩個輸入電壓進行比較，并根據(jù)...電壓比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，是將兩個輸入電壓進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出相應(yīng)的電平。電壓比較器在各種電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用，如信號處理、...
并聯(lián)多個MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，...并聯(lián)多個MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，從而限制最大結(jié)溫。 當(dāng)多個MOSFET并聯(lián)時，由于每個器件的溫度系數(shù)是正的，即溫度升...
過電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異...過電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開關(guān)電路失效、電感和電容器反復(fù)開關(guān)時產(chǎn)生的反向電壓等現(xiàn)象都會導(dǎo)致過電壓的產(chǎn)...
電流流動方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動方向。灌電流是從負載...電流流動方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動方向。灌電流是從負載流向電源，而拉電流是從電源流向負載。
①正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）： 當(dāng)門極電壓Vge＜Vge（th），IGBT內(nèi)部MOS溝道被夾斷...①正向阻斷區(qū)（截止區(qū)）： 當(dāng)門極電壓Vge＜Vge（th），IGBT內(nèi)部MOS溝道被夾斷，IGBT工作在截止區(qū)，由于外部電壓Vce的存在，此時IGBT集電極-發(fā)射極之間存在很小的...
如圖所示為了使三相異步電動機能夠進行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)，一般采用兩個接觸器KM1、KM...如圖所示為了使三相異步電動機能夠進行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)，一般采用兩個接觸器KM1、KM2換接電動機三相電源的相序，但兩個接觸器不能吸合，如果同時吸合將造成電源的短路事...
