電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因為?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者...電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因為?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者接近于零，需要電感磁芯的處理能力大于等于電感儲存的能量，磁芯體積與處理能力成正...
輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當然這是理想情況下的波形，即忽略...輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當然這是理想情況下的波形，即忽略了整流二極管的內阻。ΔV為電壓紋波大小，它根據負載的要求而定義。
一個具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個示例中，驅動器IC的供電電壓等于...一個具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個示例中，驅動器IC的供電電壓等于V1、V2之和，而MOSFET的柵極驅動電壓為導通狀態下的+V1和關斷狀態下的–V2（相對于M...
在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據歐姆定律，這將...在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據歐姆定律，這將導致一定的損耗，具體取決于這些狀態的持續時間（參見圖2）。目標是要較大程度地減...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結...MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一...
