超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件而開發的，該技術已...超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件而開發的，該技術已用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的制衡。采用超級結技術有助于降低導通電阻并提高M...
MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個柵極電阻可以防止一些潛在的...MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。請參閱下面的電路圖，用于連接 MOSFET 柵極電阻器（下拉...
被動式PFC一般分“電感補償式”和“填谷電路式（ValleyFillCircuit）”“電感補...被動式PFC一般分“電感補償式”和“填谷電路式（ValleyFillCircuit）”“電感補償方法”是使交流輸入的基波電流與電壓之間相位差減小來提高功率因數，被動式PFC包...
當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極管的be有0.7V左右的壓降...當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate.上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管...
框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從...框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從VIN充電，當晶體管Q1為ON時會放出開關電流IDD。比較大的電流會急劇反復流動。輸出電...
在理想情況下，當電容器安裝在直流電壓電源上時，根據電容隔直通交的特性，沒有...在理想情況下，當電容器安裝在直流電壓電源上時，根據電容隔直通交的特性，沒有電流會流向電容器。但是，如果電容兩端的實際電壓不是單純的直流電壓時，比如電壓有...
