IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結構使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件導通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動，而放電時，它會關閉器件，然后可能會在...
在反激電路中，一旦 MOSFET 管關斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸到副邊，但漏感...在反激電路中，一旦 MOSFET 管關斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸到副邊，但漏感能量卻無法被轉移，這會導致電路中的雜散電容產生振鈴。漏感是產生振鈴的根本原因，...
上面的原理圖是同步降壓轉換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lck...上面的原理圖是同步降壓轉換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lckt。如上所述，它們包括走線電感和封裝電感。與Lck成環的寄生電容主要來自處于關斷狀...
下圖是某DCDC轉換器負載瞬態測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載...下圖是某DCDC轉換器負載瞬態測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載電流。注意到負載電流上升斜率與下降斜率并不相同，較緩的上升斜率對應較小的電壓跌...
通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電...通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設計師不得不降低變壓器漏感，選用更高...
配置PWM互補輸出的死區時間，本質上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區...配置PWM互補輸出的死區時間，本質上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死區發生器設置）部分。
