80V200A KNC2208A現貨產品特征 RDS(on)=3.5mΩ（typ.）@VGS=10V 雪崩測試100...80V200A KNC2208A現貨產品特征 RDS(on)=3.5mΩ（typ.）@VGS=10V 雪崩測試100% 可靠、堅固 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
絕緣柵場效應管圖解 絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應，由感應...絕緣柵場效應管圖解 絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應，由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導體之間是絕緣的，其電...
80V160A低壓MOS管 KNX2708A產品特點 1、專有新型溝槽技術 2、RDS(ON),typ.=4...80V160A低壓MOS管 KNX2708A產品特點 1、專有新型溝槽技術 2、RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 3、低柵電荷最小開關損耗 4、快速恢復體二極管
場效應管電機驅動-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機正反轉的。場效應管電機...場效應管電機驅動-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機正反轉的。場效應管電機驅動：下圖就是一種簡單的H橋電路,它由2個P型場效應管Q1、Q2與2個N型場效應管Q3、Q3...
80V?150A MOS管?KNX2808A產品特點 RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V 100%雪...80V?150A MOS管?KNX2808A產品特點 RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
對于常規VDMOS器件結構，Rdson 與BV這一對矛盾關系,要想提高BV ,都是從減小EPI...對于常規VDMOS器件結構，Rdson 與BV這一對矛盾關系,要想提高BV ,都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大...
