KNX3508A參數80V70A產品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩測...KNX3508A參數80V70A產品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
一、符號“Q、VI”，場效應管簡稱FET,是一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出...一、符號“Q、VI”，場效應管簡稱FET,是一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出電流的，是電壓控制器件。 場效應管分三個極: D極為漏極(供電極) S極為源極(輸出...
場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經常作為多級放大電流的輸入級,與三...場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應管放電電路分為共源、公漏、共...
KNX1906B 60V230A產品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供無鉛和綠色設...KNX1906B 60V230A產品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供無鉛和綠色設備 高雪崩電流
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類...場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconduct...
元器件封裝,就是指把硅片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器...元器件封裝,就是指把硅片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封...
