出現死區的主要原因是因為MOS管的源極和柵極之間的結電容。現在在柵極加上一個...出現死區的主要原因是因為MOS管的源極和柵極之間的結電容。現在在柵極加上一個門電路。當門電路輸出的信號跳變的瞬間，電流是非常大的，會導致MOS管發熱，所以需要...
低內阻MOS管 KIA3506A 60V70A產品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專...低內阻MOS管 KIA3506A 60V70A產品特征 VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V 專為電動自行車控制器應用而設計 超低電阻 高UIS和UIS 100%測試
MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來，達到與外加隔離的目...MOS管封裝失效原因 封裝，顧名思義是將集成電路包封起來，達到與外加隔離的目的。在工程師的日常工作當中，時不時會遇到一些MOS管封裝失效，本文總結了一些失效的...
常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優...常用小功率 低壓MOS管 KIA8606A-描述 KIA8606A是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優良的RDSON性能。和柵極充電為大多數同步降壓轉換器的應用。KIA8606滿足RoHS標準和綠...
KNX7606A是性能最高的N溝道mosfet，為大多數同步buck變換器提供優良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道mosfet，為大多數同步buck變換器提供優良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產品要求。KIA半導體產品品質優良，KIA半導體執行的...
保護板專用MOS管40V100A KNX3204A產品特點 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保護板專用MOS管40V100A KNX3204A產品特點 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、專有新溝槽技術 3、低門電荷減小開關損耗 4、快恢復體二極管
