IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低導通電阻 快速切換 100%雪崩試驗 重復雪崩最高允許Tjmax 無鉛，符合RoHS標準
NMOSFET特性退化
飽和區:
通常Vg
器件退化的含義： 也就是隨著應力時間的推移，輸出電流下降，同時閾值電壓增加...器件退化的含義： 也就是隨著應力時間的推移，輸出電流下降，同時閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡單講，柵電壓時漏電壓一半的時候，襯底電流最大，同時漏端...
MOS管30V40A KNX9103A參數資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進的溝...MOS管30V40A KNX9103A參數資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進的溝槽加工技術。 超低導通電阻的高密度電池設計 完全表征的雪崩電壓和電流
放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學一下微變等效電路法...放大電路的基本分析方法包括圖解法和微變等效電路法，今天學一下微變等效電路法：放大電路放大的是信號的變化量，當信號變化范圍很小的時候（微變），可以認為三極...
900V9AMOS管 KNX4890A產品特征 專用的新平面工藝技術 RDS(ON),typ.=1.2Ω@VG...900V9AMOS管 KNX4890A產品特征 專用的新平面工藝技術 RDS(ON),typ.=1.2Ω@VGS=10V 低柵極電荷最小化開關損耗 快恢復體二極管
