微變等效電路是當(dāng)電路中某一部分用其等效電路代替之后，未被代替的部分電壓和電...微變等效電路是當(dāng)電路中某一部分用其等效電路代替之后，未被代替的部分電壓和電流均不發(fā)生變化，也就是說電壓和電流不變的部分只是等效部分以外的電路，下面我們來...
場效應(yīng)管的應(yīng)用越來越廣泛,它相比于傳統(tǒng)的晶體管有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)使其在高頻電...場效應(yīng)管的應(yīng)用越來越廣泛,它相比于傳統(tǒng)的晶體管有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)使其在高頻電路中的應(yīng)用尤期多,本文就其在高頻電路的應(yīng)用中的突出性能進(jìn)行闡述并且以音響領(lǐng)域?yàn)槔?..
這種功率MOSFET是用KIAIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制作的，這種先進(jìn)的技術(shù)特別適...這種功率MOSFET是用KIAIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)制作的，這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)良的開關(guān)性能，并在雪崩和換流模式下經(jīng)受高能重脈沖。這...
這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合...這種功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這一先進(jìn)技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。這...
電路保護(hù)主要有兩種形式：過壓保護(hù)和過流保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)器件是實(shí)現(xiàn)高...電路保護(hù)主要有兩種形式：過壓保護(hù)和過流保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)器件是實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路保護(hù)設(shè)計的關(guān)鍵，涉及到電路保護(hù)器件的選型，我們就必須要知道各電路保...
這款功率MOSFET采用SL Semi先進(jìn)的平面條帶DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特...這款功率MOSFET采用SL Semi先進(jìn)的平面條帶DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制，最大限度地減少了導(dǎo)通電阻，提供了卓越的開關(guān)性能，在雪崩和換向模式下能承...
