分享電荷泵自制MOS管高壓驅(qū)動電源-KIA MOS管

電荷泵自制MOS管驅(qū)動

電機驅(qū)動電路中，通常采用MOS作為驅(qū)動單元，而MOS管為電壓驅(qū)動器件，需要5V-10V的驅(qū)動電壓才可以開啟，一般的控制電路為3V-5V工作電壓，直接連接無法驅(qū)動MOS管正常工作，或者由于導通電阻過大，MOS管發(fā)熱嚴重。

另一方面，由于PMOS導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動方式也，通常還是用NMOS，這樣就要求門極驅(qū)動電壓在驅(qū)動電壓的基礎上再增加5-10V，也就是說，如果驅(qū)動負載的電源為12V，高端驅(qū)動MOS管門極就需要17-22V的驅(qū)動電壓，這樣就比較麻煩了。

市面上現(xiàn)有的MOS管門極驅(qū)動芯片大多比較貴，種類也很少，而且電路也比較復雜，而如果我們可以提供一個22V的電源，用開關來控制這個電源何時加載到MOS管門極上，就可以自制MOS管門極驅(qū)動電路了，從而可以使用普通的單片機來控制大電流設備，現(xiàn)在來說，就差一個驅(qū)動電源了。

一般的單片機小系統(tǒng)提供的電源通常是3.3V或者5V，如果采用升壓的方式來獲得高電壓，可用的方式基本就是DCDC變換了，我們只是驅(qū)動幾個MOS管，電流極小，DCDC變換的效率就很低了，而且引入了電磁干擾，對系統(tǒng)的穩(wěn)定性打了折扣，同時此方案的成本也會提高不少；

另一種方案就是本文講的電荷泵，只需要幾個電容和二極管，就可以得到自己想要的電壓，很方便，而且電流越小，效率越高，對于我們驅(qū)動MOS管足夠了。

原理圖如下：

這個方案使用MCU的電源，電壓3.3V，P1和-P1為兩個相位相差180度的方波信號，這個電路最終可以在輸出端得到12-16V穩(wěn)定的直流電，而且P1頻率在器件特性內(nèi)頻率越高，輸出紋波越小，如果需要更高的電壓就可以參考增加更多的單元，每增加一個單元，電壓提高3V左右。

以上就是電荷泵自制MOS管高壓驅(qū)動電源的詳細圖文。

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