結型場效應管偏置方式,JFET偏置電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-25
結型場效應管通常采用自偏置、分壓偏置和電流源偏置等方式。其中，自偏置方式簡單易行，但穩定性較差；分壓偏置方式穩定性好，但電路復雜度較高；電流源偏置方式能夠提供穩定的偏置電流，適用于高精度應用。
JFET偏置電路
固定直流偏置技術
在 N 溝道 JFET 的固定直流偏置技術中，JFET 的柵極以這樣的方式連接，即 JFET 的 V GS始終保持負值。由于 JFET 的輸入阻抗非常高，因此在輸入信號中沒有觀察到負載效應。流過電阻器 R1 的電流保持為零。
當我們在輸入電容器 C1 上施加交流信號時，信號出現在柵極上。現在，如果我們計算 R1 上的電壓降，根據歐姆定律，它將是 V = I x R 或 V降= 柵極電流 x R1。由于流向柵極的電流為 0，因此柵極上的電壓降保持為零。因此，通過這種偏置技術，我們可以通過改變固定電壓來控制 JFET 漏極電流，從而改變 V GS。
自偏置技術
在自偏置技術中，在源極引腳上添加了一個電阻器。源極電阻器 R2 上的電壓降產生 V GS以偏置電壓。在這種技術中，柵極電流再次為零。源電壓由相同的歐姆定律決定 V = I x R。因此源電壓 = 漏極電流 x 源電阻。現在，可以通過柵極電壓和源極電壓之間的差異來確定柵極到源極電壓。
由于柵極電壓為 0（因為柵極電流為 0，根據 V = IR，柵極電壓 = 柵極電流 x 柵極電阻 = 0）V GS = 0 – 柵極電流 x 源極電阻。因此不需要外部偏置源，偏置是由自身產生的。
分壓器偏差
在這種技術中，使用了一個額外的電阻器，并且對自偏置技術的電路稍作修改，使用 R1 和 R2 的分壓器為 JFET 提供所需的直流偏置。源電阻上的電壓降需要大于電阻分壓器的柵極電壓。這樣，V GS保持負值。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
