?2920場效應(yīng)管,高頻開關(guān)mos,200v130a,KCP2920K參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-19
KCP2920K場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，采用專利新型溝槽工藝制造，SGT MOSFET技術(shù)，提升功率密度，性能優(yōu)越；極低導通電阻RDS(開啟) 9.8mΩ，減少導電損失，低柵極電荷減少開關(guān)損耗；快速恢復體二極管用于反向電壓保護和續(xù)流功能，提高器件的開關(guān)速度和效率，穩(wěn)定可靠；適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)、同步整流等；封裝形式：TO-220。
漏源電壓：200V
漏極電流：130A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：440A
單脈沖雪崩能量：2000MJ
功率耗散：333W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：75nC
輸入電容：6780PF
輸出電容：390PF
反向傳輸電容：5PF
開通延遲時間：40nS
關(guān)斷延遲時間：45nS
上升時間：15ns
下降時間：10ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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