KIA3409采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。該器件適用于...KIA3409采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。該器件適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。 VDS(V)=...
KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的...KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的典型值）；具有TO-251、252封裝形式可供選擇，方便安裝使用。KND4560A能夠替代士蘭微...
KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低...KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低柵極電荷（典型值為13.5nC）最小化開關(guān)損耗，高堅固性，快速切換能力，指定雪崩能量...
KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=15...KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具備低柵極電荷最小化開關(guān)損耗，能夠穩(wěn)定可靠地工作，加固...
KIA13N50H場效應(yīng)管參數(shù)13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低柵極電...KIA13N50H場效應(yīng)管參數(shù)13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低柵極電荷（典型的45nc）、快速切換的能力、雪崩能量、改進的dt／dt能力等特性，這款場效應(yīng)...
KIA4750S場效應(yīng)管具有穩(wěn)定可靠的性能，漏源電壓為500V，漏極電流為9.0A，它的R...KIA4750S場效應(yīng)管具有穩(wěn)定可靠的性能，漏源電壓為500V，漏極電流為9.0A，它的RDS(on)為0.7Ω，在VGS = 10 V時能夠產(chǎn)生較低的電阻。這款場效應(yīng)管還具有低柵電荷特性...
